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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NXP
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
类型	Low Noise Amplifier
技术	Silicon
工作频率	40 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	13 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	3.3 V
NF—噪声系数	2.8 dB
OIP3 - 三阶截点	29 dBm
工作电源电流	34 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	Variable Gain Amplifiers
商标	NXP Semiconductors
输入返回损失	20 dB
Pd-功率耗散	250 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	935296064115
单位重量	5.443 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MAX1472AKA+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 300-450MHz Low-P Crystal-Based ASK	1:¥18.2834 10:¥16.5206 25:¥14.7578 50:¥10.8367 2,500:¥7.0173	参考库存:15856
CC2510F32RHHT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC 2.4GHz Radio Trnscvr 8051 MCU	1:¥45.4938 10:¥40.8834 100:¥33.4254 250:¥31.4253 500:¥28.5099	参考库存:5013
R2005350L	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5-200MHz NF 5dB Gain 36dB	1:¥192.2582 25:¥181.0373 100:¥171.195 250:¥161.364	参考库存:3795
MAX2693LEWS+T	Maxim Integrated	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GPS/GNSS Low-Noise Amplifier	1:¥13.5261 10:¥11.4469 25:¥9.1417 50:¥8.6784 2,500:¥6.0003	参考库存:11962
HMC542BLP4ETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 DATT, 0.5 dB LSB 6 Bit (Hitt Controller)	1:¥67.8452 10:¥61.3138 25:¥58.4775 100:¥50.7935 500:¥44.2621	参考库存:7474