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无线和射频半导体
PD57018-E参考图片

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PD57018-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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库存:3,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 2.4G PA, 3.3-5V, 3x3x0.9
1:¥16.2946
10:¥14.7578
25:¥13.1419
100:¥11.8311
3,000:¥6.7461
参考库存:17814
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz NF 5.5dB, Gain 26dB
1:¥247.7299
25:¥233.2885
参考库存:3081
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, dual band, 256 kB, mesh, BLE, SRI,19.5 dBm, QFN-48
1:¥59.3928
10:¥56.1723
25:¥54.4773
50:¥52.8614
2,500:¥44.5672
参考库存:25135
无线和射频半导体
PIN 二极管 Max CW 3 Watts Max. Pk Pwr 90W
1:¥157.4429
10:¥145.77
25:¥135.0124
50:¥124.9441
参考库存:2933
无线和射频半导体
射频放大器 1 GHz wideband low-noise amp
1:¥4.6104
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:17655
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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