HMC544AE原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	RF 开关 IC
RoHS	是
开关数量	Single
开关配置	SPDT
工作频率	DC to 4 GHz
介入损耗	0.7 dB
关闭隔离—典型值	12 dB
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-26-6
封装	Cut Tape
系列	HMC544AG
技术	GaAs
商标	Analog Devices
空闲时间—最大值	50 ns
运行时间—最大值	50 ns
高控制电压	3 V to 5 V
最小工作温度	- 40 C
Pd-功率耗散	574 mW
产品类型	RF Switch ICs
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	30 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MCR20AVHM	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 MCR20AVHM/VQFN41R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE	1:¥26.2047 10:¥24.0464 25:¥21.8203 100:¥19.6733	参考库存:4457
BFR106E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥2.9154 10:¥2.2374 100:¥1.2091 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.78422 9,000:¥0.72998	参考库存:50569
TAT7427B-T1	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RFIC Amplifier 50-1300 MHz 75 Ohm	1:¥46.104 25:¥39.1884 100:¥33.4254 250:¥26.5098 1,000:¥17.289	参考库存:4001
HMC-ALH382	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 57 - 65 GHz	50:¥381.7366 100:¥353.7691 250:¥343.633	参考库存:1918
2SK3475TE12LF	Toshiba	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS	1:¥17.4472 10:¥14.0572 100:¥11.2209 500:¥9.831 1,000:¥8.1473	参考库存:5415