TGA2312-FL原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
发货限制：	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
类型	Power Amplifier
技术	GaN SiC
工作频率	9 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点	48 dBm
增益	13 dB
工作电源电压	24 V
NF—噪声系数	-
工作电源电流	2.4 A
系列	TGA
封装	Waffle
产品	GaN
商标	Qorvo
输入返回损失	15 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	225 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	10
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	1095433

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SL2ICS2001DW/V1D,3	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频无线杂项 I CODE SLI SMART LABEL IC	32,000:¥0.82942 64,000:¥0.79891	参考库存:42845
ADF4152HVBCPZ-RL7	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 5GHz frac-N PLL with 28V charge pump	1,500:¥50.2511	参考库存:42850
HMC441LC3BTR-R5	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Medium pow amp SMT, 6 - 18 GHz	500:¥349.7802	参考库存:42855
STAC0912-250	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 960-1215 MHz LDMOS TRANSISTOR	15:¥1,219.2926 30:¥1,202.2409	参考库存:42860
A2T20H330W24NR6	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP	150:¥882.5865	参考库存:42865

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