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无线和射频半导体
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NPT2022

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
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1
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2
¥961.4944
1922.9888
5
¥939.4481
4697.2405
10
¥912.0117
9120.117
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
24 mA
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EZR32WG330F128R61G-B0R
Silicon Labs
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35,000:¥4.7573
参考库存:53646

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