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无线和射频半导体
HMC658LP2E参考图片

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HMC658LP2E

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库存:3,653(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.0195
51.0195
10
¥46.104
461.04
50
¥43.957
2197.85
100
¥38.194
3819.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
衰减器
RoHS
封装 / 箱体
DFN-EP-6
最大衰减
20 dB
最大频率
25 GHz
通道数量
1 Channel
阻抗
50 Ohms
最大 VSWR
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Cut Tape
功率额定值
25 dBm
系列
HMC658G
技术
GaAs
容差
2 dB
类型
Fixed Attenuator
商标
Analog Devices / Hittite
安装风格
SMD/SMT
最小频率
DC
产品类型
Attenuators
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
24 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 50MHz-1000MHz Gain 22dB
1:¥69.156
25:¥58.7826
100:¥50.172
250:¥39.7986
1,000:¥25.9674
参考库存:6057
无线和射频半导体
射频放大器 400-4000MHz NF 3.9dB Gain 17.8dB .5W
1:¥61.8562
25:¥47.4148
100:¥37.0414
250:¥30.6569
500:¥27.5042
1,000:¥24.1255
参考库存:34419
无线和射频半导体
射频放大器 Distributed Amp
1:¥1,665.5861
5:¥1,642.0708
10:¥1,595.1193
25:¥1,513.0587
50:¥1,503.7588
参考库存:1811
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218 Pwr DBLR GaAs/GaN Hybrid
50:¥308.1284
参考库存:1573
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
1:¥4,483.0038
参考库存:1505
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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