HMC373LP3E原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	700 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	20 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1 dB
OIP3 - 三阶截点	35 dBm
工作电源电流	90 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC373
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	25 dB
Pd-功率耗散	0.878 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PD84006L-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic	1:¥69.6984 10:¥63.0088 25:¥60.0934 100:¥52.1721 3,000:¥38.1149	参考库存:14664
TGF2929-HM	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN	25:¥2,600.5707	参考库存:4206
CC2640F128RHBT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU Bluetooth Smart ULP Wireless MCU	1:¥35.9566 10:¥32.3519 100:¥26.4307 250:¥24.8148 500:¥22.5096	参考库存:15168
CE3521M4	CEL	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C	1:¥12.6786 10:¥9.9892 100:¥7.9891 500:¥6.3958	参考库存:5550
QPF4518TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB	1:¥34.578 250:¥31.7304 500:¥27.6624 750:¥27.6624 2,250:¥23.052	参考库存:16412