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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Cree, Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	0.5 in x 0.5 in
类型	RF Power Amplifier
技术	GaN
工作频率	2.7 GHz to 3.5 GHz
P1dB - 压缩点	-
增益	28 dB
工作电源电压	28 V
NF—噪声系数	-
测试频率	2.7 GHz to 3.5 GHz
OIP3 - 三阶截点	28 dBm
工作电源电流	28 mA
最大工作温度	+ 150 C
封装	Bulk
带宽	2.7 GHz to 3.5 GHz
产品	GaN
商标	Cree, Inc.
通道数量	1 Channel
开发套件	-
输入返回损失	- 11 dB
隔离分贝	-
Pd-功率耗散	75 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	6
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	-
电源电压-最小	-

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AD9375BBCZ-REEL	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器 Mykonos+DPD Broad Market Release	1,500:¥2,660.6641	参考库存:51982
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UF2820P	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管	1:¥594.9676 5:¥547.9483	参考库存:51992
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