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无线和射频半导体
MT3S111(TE85L,F)参考图片

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MT3S111(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.2149
42.149
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.1809
2180.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MT3S111
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC788ALP2E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 10 GHz gain block, Linr Drive/Gain Block
1:¥158.5164
10:¥143.849
25:¥135.1593
50:¥130.1647
参考库存:11786
ATMEGA64RFR2-ZU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ64K SOC Ind85C AVRZLINKMCU 8BIT
1:¥44.4881
10:¥43.8779
25:¥40.6461
参考库存:6028
CC2564BRVMR
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 Bluetooth Cntlr
1:¥38.3409
10:¥34.4198
100:¥28.2048
250:¥26.4307
2,500:¥19.21
参考库存:8165
HMC190BMS8ETR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC Transmit/Receive (T/R) Switch, SPDT
1:¥31.7304
10:¥28.589
100:¥23.4362
250:¥22.2045
500:¥19.8993
参考库存:6767
HMC498
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Medium pow amp Chip, 17 - 24 GHz
25:¥458.1924
100:¥424.6201
参考库存:4859

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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