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无线和射频半导体
MT3S111(TE85L,F)参考图片

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MT3S111(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 700mW
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库存:19,337(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.2149
42.149
100
¥2.7233
272.33
1,000
¥2.1809
2180.9
3,000
¥1.8419
5525.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
MT3S111
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.6 V
集电极连续电流
100 mA
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
11.5 GHz
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
12 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz RF Receiver With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
2,500:¥16.3624
参考库存:52840
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
参考库存:52845
无线和射频半导体
RF 开关 IC High Pwr ,20W Peak SPDT,ReflectiveSwich
500:¥141.0805
参考库存:52850
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
1:¥145.3858
10:¥133.6225
25:¥127.7126
100:¥112.8757
500:¥97.5077
参考库存:52855
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp 2 - 22 GHz
2:¥706.8489
6:¥684.102
10:¥670.429
26:¥643.0717
参考库存:52860
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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