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无线和射频半导体
BFP 540FESD H6327参考图片

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BFP 540FESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6386
36.386
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.4577
4373.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP540
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
30 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP540FESDH6327XTSA1 BFP54FESDH6327XT SP000745300
单位重量
1.870 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MW5IC970NBR1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 HV5IC 900MHZ 70W TO272WB
500:¥579.5318
参考库存:54513
QPB8896SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 Return Path Amp
1:¥46.104
25:¥43.0304
100:¥39.9568
200:¥36.8832
参考库存:54518
RF5755TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4- 2.5 GHz 20 dBm, 27 dB
1:¥26.5098
250:¥24.3628
500:¥21.2101
1,000:¥17.6732
2,500:¥14.1363
参考库存:54523
ATMEGA1281R212-MU
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU ATmega 1281V-8MU AT86RF212-ZU
1:¥111.2598
10:¥101.2028
25:¥93.5866
50:¥89.5977
参考库存:54528
LT5520EUF#PBF
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 1.3GHz to 2.3GHz Upconverting Mixer
1:¥77.066
25:¥51.1777
100:¥42.3411
250:¥40.1828
参考库存:54533

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    4小时快速发货

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