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无线和射频半导体
BAR 64-04 E6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BAR 64-04 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • PIN 二极管 Silicon PIN Diode 150V 100mA
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库存:145,452(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.3052
2.3052
10
¥1.5933
15.933
100
¥0.66896
66.896
1,000
¥0.45313
453.13
3,000
¥0.35369
1061.07
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
150 V
最大二极管电容
0.35 pF
最大串联电阻(中频最大时)
20 Ohms
If - 正向电流
100 mA
Vf - 正向电压
1.1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
最小工作频率
1 MHz
最大工作频率
6 GHz
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
系列
BAR64
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Series
高度
1 mm
长度
2.9 mm
类型
Attenuator or Switch
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
载流子寿命
1.55 us
最大串联电阻(中频最小时)
1.25 Ohms
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BAR6404E6327HTSA1 BAR644E6327XT SP000012211
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 ATTENUATOR 0DB
1:¥112.3446
10:¥102.039
25:¥101.5079
50:¥91.9029
参考库存:24730
无线和射频半导体
锁相环 - PLL BBG ECL 25 TO 400MHZ CLOCK
1:¥110.3445
10:¥101.5079
25:¥97.2817
100:¥85.6766
1,000:¥69.9244
参考库存:7433
无线和射频半导体
射频放大器 DC-3000MHz NF 3.2dB P1dB 21.1dBm
1:¥23.7413
25:¥17.8992
100:¥17.8992
参考库存:6840
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block Chip, DC - 8 GHz
50:¥157.296
100:¥149.4538
250:¥142.5382
500:¥135.7017
参考库存:2687
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:47524
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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