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无线和射频半导体
3SK293(TE85L,F)参考图片

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3SK293(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥2.7572
27.572
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.12209
1122.09
3,000
¥0.96841
2905.23
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK293
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MC13202FCR2
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频收发器 TORO IC 802.15.4
1:¥62.7037
10:¥57.4718
25:¥52.2512
100:¥47.0306
5,000:¥32.657
参考库存:24282
RF5540TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 4900-5850MHz
1:¥11.30
250:¥10.3734
500:¥9.0626
1,000:¥7.5258
2,500:¥6.2489
参考库存:13915
BAP64-05W,135
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 100V 100mA Single
1:¥3.4578
10:¥2.2487
100:¥0.96841
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.49946
参考库存:51862
ADL5545ARKZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 30MHz-6GHz RF/IF Gain Block
1:¥26.2047
10:¥23.3571
25:¥21.0519
50:¥20.0575
1,000:¥13.447
参考库存:6934
AT-901(40)
Hirose Connector
无线和射频半导体
衰减器 LP ATTENUATOR 1DB
1:¥166.3586
5:¥157.3638
10:¥150.1431
25:¥143.849
参考库存:24293

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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