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无线和射频半导体
PD20010-E参考图片

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PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:6,100(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥139.5437
139.5437
10
¥128.3228
1283.228
25
¥123.0231
3075.5775
100
¥108.3444
10834.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
2 GHz
系列
PD20010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-3GHz IL 1dB max. Iso 28dB @1GHz
1:¥9.1417
10:¥8.2264
25:¥7.1303
100:¥6.441
3,000:¥3.8081
参考库存:28236
无线和射频半导体
射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
1:¥20.2835
250:¥18.5998
500:¥16.2155
1,000:¥13.5261
2,500:¥10.8367
参考库存:13918
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
1:¥2.9945
10:¥2.3391
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
15,000:¥0.70738
参考库存:377075
无线和射频半导体
射频收发器 Orca Rev C
1:¥41.4145
10:¥37.1883
100:¥30.4309
250:¥28.589
2,500:¥20.7468
参考库存:31277
无线和射频半导体
调节器/解调器 50 MHz TO 1000 MHz Quadrature
1:¥80.8402
10:¥73.3822
25:¥68.93
50:¥66.3875
1,000:¥47.1775
参考库存:4409
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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