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无线和射频半导体
3SK291(TE85L,F)参考图片

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3SK291(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.6555
26.555
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.08367
1083.67
3,000
¥0.92999
2789.97
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK291
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
13 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP405H6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:37670
CG2409M2
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-3800MHz SPDT 802.11a/b/g/n/ac
1:¥12.9837
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥6.5201
参考库存:5962
HMC545AE
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SPDT Switch, DC - 3 GHz
1:¥24.0464
10:¥21.5943
100:¥17.7523
250:¥16.8257
参考库存:5104
ADF4350BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL WB Synthesizer w/ Intg VCO
1:¥97.971
10:¥88.9084
25:¥83.5296
50:¥80.456
参考库存:4201
MAX19794ETX+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
衰减器 10MHz to 500MHz Attenuator
1:¥65.3931
10:¥62.0822
25:¥58.7826
250:¥50.7935
1,000:¥47.8668
参考库存:2028

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    50万现货SKU

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