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无线和射频半导体
PD55008S-E参考图片

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PD55008S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
250
¥89.1344
22283.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
1.190 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
GMP4235-GM1
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥21.5152
10:¥17.289
100:¥15.8313
250:¥14.2945
参考库存:5829
HMC554ALC3B
Analog Devices
无线和射频半导体
射频混合器 Mixers
1:¥381.5897
5:¥370.753
10:¥355.9952
25:¥330.412
50:¥330.412
参考库存:3966
RFFM8200TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.412 - 2.484 GHz 17 dBm, 3.3 V
1:¥14.9838
250:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9892
2,500:¥7.9891
参考库存:16118
SE2595L-R
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz 5.0GHz Dual Band 802.11n
1:¥43.1095
10:¥38.4991
25:¥34.6571
100:¥31.5044
3,000:¥19.436
参考库存:17480
MAX4003EUA+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频检测器 100-2500MHz 45dB 射频检测器
1:¥21.5943
10:¥19.436
25:¥18.3625
50:¥15.2889
2,500:¥10.4525
参考库存:76477

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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