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无线和射频半导体
BAR 88-02V H6327参考图片

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BAR 88-02V H6327

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库存:76,490(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.0227
20.227
100
¥0.92999
92.999
1,000
¥0.71416
714.16
3,000
¥0.60681
1820.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
PIN 二极管
RoHS
Vr - 反向电压
80 V
最大二极管电容
0.4 pF
最大串联电阻(中频最大时)
2.5 Ohms
If - 正向电流
100 mA
Vf - 正向电压
1.2 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-79-2
系列
BAR88
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
Switching Diode
商标
Infineon Technologies
载流子寿命
500 ns
Ir - 反向电流
50 nA
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
零件号别名
BAR8802VH6327XTSA1 BAR882VH6327XT SP000743452
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 MCR20AVHM/VQFN41R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥26.2047
10:¥24.0464
25:¥21.8203
100:¥19.6733
参考库存:4457
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.78422
9,000:¥0.72998
参考库存:50569
无线和射频半导体
射频放大器 RFIC Amplifier 50-1300 MHz 75 Ohm
1:¥46.104
25:¥39.1884
100:¥33.4254
250:¥26.5098
1,000:¥17.289
参考库存:4001
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT lo Noise amp, 57 - 65 GHz
50:¥381.7366
100:¥353.7691
250:¥343.633
参考库存:1918
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
1:¥17.4472
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:5415
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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