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无线和射频半导体
GTVA104001FA-V1-R0参考图片

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GTVA104001FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
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库存:1,854(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4,191.7802
4191.7802
50
¥4,191.7802
209589.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
输出功率
400 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Flange Mount
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
开发套件
LTN/GTVA104001FA-V1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Low Noise Amplifier
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:79101
无线和射频半导体
射频放大器 RFIC w/active bias 75 Ohm 1002 MHz
1:¥27.6624
25:¥23.5153
100:¥20.0575
250:¥15.9104
1,000:¥10.3734
参考库存:6498
无线和射频半导体
射频放大器 2.8-3.7GHz Gain>18dB 30 Watt GaN
1:¥2,197.624
25:¥1,705.848
参考库存:4505
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 DPD Mixer 0.25 UM SIGE BICMOS
1:¥158.4486
5:¥152.5274
10:¥146.6062
25:¥134.696
参考库存:5237
无线和射频半导体
PIN 二极管 Vr=200Vdc Trr=20nS Rs@10mA 2.5ohms
100:¥10.7576
200:¥10.0683
参考库存:11899
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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