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无线和射频半导体
BFU520R参考图片

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BFU520R

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
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库存:18,537(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT143B-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10.5 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067702215
单位重量
9 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 LNA MMIC 4GHz 2.3dB
1:¥7.1416
10:¥5.8986
100:¥3.8081
1,000:¥3.0397
5,000:¥2.5764
参考库存:34723
无线和射频半导体
射频放大器 2.5-2.7GHz 5 Watt PAE 41.6%
1:¥415.7835
25:¥336.7852
100:¥272.782
参考库存:3470
无线和射频半导体
RF 开关 IC 802.11b/g IL .3dB IP3=+43dBm typ.
1:¥7.91
10:¥7.1642
25:¥6.1924
100:¥5.5822
3,000:¥3.2996
参考库存:96397
无线和射频半导体
射频放大器 31DBM GAAS AMP
1:¥75.9925
10:¥67.9243
25:¥61.1669
50:¥58.2402
1,000:¥36.273
参考库存:7519
无线和射频半导体
射频放大器 .05-3.8GHz NF 1.9dB Gain 15dB OIP3 40dB
1:¥17.8314
10:¥16.9839
100:¥15.6731
250:¥13.8312
2,500:¥5.9777
参考库存:16971
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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