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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Maxim Integrated
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMAX-EP-10
类型	Low Noise Amplifier
技术	SiGe
工作频率	3.4 GHz to 3.8 GHz
P1dB - 压缩点	- 5 dBm
增益	14.4 dB
工作电源电压	5.5 V
NF—噪声系数	2.3 dB
OIP3 - 三阶截点	4 dBm
工作电源电流	12 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	MAX2645
封装	Tube
产品	Variable Gain Amplifiers
商标	Maxim Integrated
隔离分贝	25 dB
Pd-功率耗散	825 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	MAX2645

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PH3135-5S	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管	10:¥2,530.5672 25:¥2,439.3649	参考库存:47423
RFFM5765QSR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.4-2.5GHz AEC-Q100 WiFi 802.11b/g/n/ac	100:¥48.6352	参考库存:47428
RFMD0014TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 700-1000MHz 5V P1dB 12dBm	2,500:¥33.1994	参考库存:47433
MRF151GB	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	15:¥929.764 25:¥899.028 50:¥726.5222 100:¥697.1648	参考库存:47438
PTVA030121EA-V1-R0	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥468.0347	参考库存:47443