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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	否
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MSOP-8
类型	Driver Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	3 GHz to 4.5 GHz
P1dB - 压缩点	23.5 dBm
增益	21 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	5 dB
OIP3 - 三阶截点	36 dBm
工作电源电流	130 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC326
封装	Cut Tape
产品	InGaP/GaAs HBT
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	12 dB
Pd-功率耗散	0.916 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	140 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
EFR32ZG14P231F256GM32-B	Silicon Labs	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Z-Wave 700 Modem SoC, Sub-GHz, Arm M4, -98.8 dBm, 13 dBm, QFN32	1:¥31.5044 10:¥30.8942 25:¥30.2727 50:¥29.6625	参考库存:2767
BGSA14RN10E6327XTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC	1:¥5.2206 10:¥4.2827 100:¥2.7685 1,000:¥2.2148 7,500:¥1.808	参考库存:40219
CPLL58-2400-2500	Crystek Corporation	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 2400-2500MHz	1:¥410.9358 5:¥390.4263 10:¥369.8264 25:¥328.717	参考库存:2741
HMC863ALC4	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Amplifier	1:¥578.5261 10:¥501.381 50:¥429.7616	参考库存:2958
AFT20P060-4NR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4	1:¥307.0549 5:¥291.5287 10:¥286.455 25:¥259.7192 250:¥229.9098	参考库存:25027

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