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无线和射频半导体
BFP 720FESD H6327参考图片

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BFP 720FESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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¥4.068
4.068
10
¥3.3674
33.674
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.356
4068
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP720
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
30 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
4.9 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
工作频率
43 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP720FESDH6327XTSA1 BFP72FESDH6327XT SP000853562
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADMV1009AEZ-R7
Analog Devices
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上下转换器 13/15GHz GaAs UpConverter
500:¥371.6005
参考库存:45509
EFR32FG1V131F128GM32-C0
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RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN32 Sub-GHz 128 kB flash 16 kB RAM 16 GPIO
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1,470:¥29.5834
参考库存:45514
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SKY65522-11
Skyworks Solutions, Inc.
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3,000:¥6.2489
6,000:¥6.0116
参考库存:53624

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