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无线和射频半导体
HMC415LP3ETR参考图片

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HMC415LP3ETR

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 4.9 - 5.9 GHz
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库存:4,577(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥121.023
121.023
10
¥111.2598
1112.598
25
¥106.6494
2666.235
100
¥93.9708
9397.08
500
¥87.5185
43759.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Power Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
4.9 GHz to 5.9 GHz
P1dB - 压缩点
22.5 dBm
增益
20 dB
工作电源电压
3 V
NF—噪声系数
6 dB
OIP3 - 三阶截点
31 dBm
工作电源电流
285 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC415
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
InGaP/GaAs HBT
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
10 dB
Pd-功率耗散
1.105 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 5GHz 802.11a/n/ac FEM
1:¥50.1042
25:¥43.2564
100:¥36.499
参考库存:6179
无线和射频半导体
射频发射器 24GHz Tx MMIC: VCO_PGA+ dual PA
1:¥310.6596
10:¥291.8338
50:¥277.9348
250:¥254.1144
参考库存:5646
无线和射频半导体
调谐器 MID INFOTAINMENT
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
参考库存:9388
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
5:¥4,800.805
参考库存:4680
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3VZDB COM
1:¥101.1237
10:¥91.9029
25:¥84.9873
50:¥78.1508
参考库存:5597
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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