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无线和射频半导体
BF999E6327HTSA1参考图片

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BF999E6327HTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
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¥3.3787
3.3787
10
¥2.825
28.25
100
¥1.7289
172.89
1,000
¥1.3334
1333.4
3,000
¥1.1413
3423.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BF999
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
零件号别名
999 BF BF999E6327XT E6327 SP000010985
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLUETOOTH LW ENERGY SLAVE CONNCTIVTY-CHP
1:¥32.657
10:¥26.2838
100:¥23.8995
250:¥21.5943
1,500:¥15.4471
参考库存:27504
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:30207
无线和射频半导体
上下转换器 SiGe 815-1000MHz Downconversion Mixer
1:¥111.418
10:¥105.881
25:¥87.2134
50:¥82.7612
参考库存:5259
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:27513
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp 22-26.5GHz
2:¥775.9258
6:¥750.9528
10:¥735.9012
26:¥705.9336
参考库存:27518
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