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无线和射频半导体
PD84006-E参考图片

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PD84006-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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数量单价合计
1
¥115.9493
115.9493
10
¥106.5816
1065.816
25
¥102.1972
2554.93
100
¥90.061
9006.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
25 V
增益
13 dB
输出功率
6 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD84006-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC241ALP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC SP4T Non-Refl Swtch DC
1:¥66.9299
10:¥60.4776
50:¥57.7091
100:¥50.1042
参考库存:11435
HMC742ALP5E
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 dig Variable-Gain
1:¥150.3804
10:¥138.2329
25:¥132.549
100:¥116.7968
参考库存:2817
AT-908(40)
Hirose Connector
无线和射频半导体
衰减器 LP ATTENUATOR 8DB
1:¥166.3586
5:¥157.3638
10:¥150.1431
25:¥143.849
参考库存:25106
SW-262-PIN
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-2000MHz IL 1dB Swtch spd 20ns Typ.
1:¥6,035.0927
参考库存:25111
TLC2934IPWR
Texas Instruments
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 Hi Perf Sngl Phase Locked Loop
1:¥29.9676
10:¥26.9731
100:¥22.0576
250:¥20.6677
2,000:¥15.0629
参考库存:11889

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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