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无线和射频半导体
AFT20P060-4NR3参考图片

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AFT20P060-4NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4
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库存：25,027(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥307.0549
307.0549
5
¥291.5287
1457.6435
10
¥286.455
2864.55
25
¥259.7192
6492.98
250
¥229.9098
57477.45
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
18.9 dB
输出功率
6.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2 GHz
系列
AFT20P060_4N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935311386528
单位重量
3.081 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BGA7210X
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 BGA7210/HVQFN32///REEL 7 Q1 NDP
1:¥55.7881
10:¥50.4093
25:¥48.025
100:¥41.7196
1,500:¥30.51
参考库存:58305
ADRF6658BCPZ-RL7
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 Wdebnd Dual RX Mixer w/ Integrated I
750:¥102.4232
参考库存:58310
LX5551LQ-TR
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频放大器 LX5551LQ-TR
3,000:¥9.831
6,000:¥9.2208
参考库存:58315
HMC464LP5E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 WBand pow amp SMT, 2 - 20 GHz
2:¥1,873.5852
5:¥1,847.0754
10:¥1,794.3722
25:¥1,702.006
参考库存:58320
HMC341
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 24-30GHz Low Noise Amp Chip
50:¥411.0149
100:¥380.9004
参考库存:58325

  • 海量现货

    50万现货SKU

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