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无线和射频半导体

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MRFE8VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13
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库存:25,060(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,205.7778
1205.7778
5
¥1,182.3416
5911.708
10
¥1,143.3001
11433.001
25
¥1,094.8909
27372.2725
50
¥1,079.9071
53995.355
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935318365178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 GPS/GNSS Front-End Amplifier
1:¥25.8205
10:¥23.4362
25:¥18.7467
50:¥17.8314
参考库存:6318
无线和射频半导体
调节器/解调器 CDMA If VGAs & I/Q Demodulator w/VCO
1:¥81.4504
10:¥76.9191
25:¥61.472
50:¥58.4775
2,500:¥37.5725
参考库存:15875
无线和射频半导体
射频放大器 12V Line Extender Variable Gain Laminate
1:¥234.588
10:¥215.6153
25:¥203.2418
50:¥197.0946
1,500:¥149.612
参考库存:25679
无线和射频半导体
射频接收器 Complete SDARS Receiver
1:¥138.9222
10:¥131.1704
25:¥104.8866
50:¥99.666
2,500:¥63.0088
参考库存:25684
无线和射频半导体
射频放大器 10-500MHz NF 1.7dB Gain 20.5dB
1:¥899.5704
参考库存:3392
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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