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无线和射频半导体
PD85006L-E参考图片

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PD85006L-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
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库存:3,397(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥69.6984
69.6984
10
¥63.0088
630.088
25
¥60.0934
1502.335
100
¥52.1721
5217.21
3,000
¥38.1149
114344.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT (5x5)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85006L-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
上下转换器 13/15GHz GaAs UpConverter
1:¥485.5497
5:¥470.3399
10:¥461.266
25:¥440.7565
参考库存:2091
无线和射频半导体
射频放大器 x4 Active mult SMT, 9.8 - 11.2 GHz Fout
1:¥261.7984
5:¥247.4248
10:¥241.4358
25:¥216.9939
500:¥187.1845
参考库存:3683
无线和射频半导体
射频放大器 DC-12GHz Gain 13dB P1dB 15.2dBm@6GHz
1:¥112.3446
25:¥86.0608
100:¥67.235
250:¥55.709
500:¥49.946
1,000:¥43.8779
参考库存:13145
无线和射频半导体
射频放大器 802.11a/n/ac 5GHz Gain 32dB
1:¥33.1994
250:¥30.4309
500:¥26.5889
1,000:¥22.1254
2,500:¥17.7523
5,000:¥14.4414
参考库存:20977
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC Med PA, 5 - 18 GHz
1:¥222.1467
5:¥209.9992
10:¥204.9368
25:¥184.19
500:¥158.9006
参考库存:5284
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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