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无线和射频半导体
MRF8372LF参考图片

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MRF8372LF

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库存:3,056(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
800 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
2.2 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频检测器 Dual Mode GSM RF Amplifier Controller
350:¥15.9782
500:¥15.594
1,000:¥14.9838
参考库存:40343
IDT
无线和射频半导体
衰减器 F1968 RF Switch
2,500:¥54.4773
参考库存:40348
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB
10:¥699.244
30:¥619.3304
50:¥559.3952
100:¥539.4168
参考库存:40353
无线和射频半导体
射频放大器 450-470 MHZ FRONT END MODULE
2,000:¥24.4306
参考库存:40358
无线和射频半导体
射频放大器 10-1500MHz NF 5.5dB Gain 9.0dB
20:¥1,195.8564
参考库存:40363
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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