HMC356LP3E原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：2,978(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	350 MHz to 550 MHz
P1dB - 压缩点	21 dBm
增益	17 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1 dB
OIP3 - 三阶截点	38 dBm
工作电源电流	104 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC356
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	17 dB
Pd-功率耗散	0.91 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

原装正品，最快4小时发货

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC590-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 GaAs PHEMT MMIC 1 WATT PA 7.0 - 9.0GHz	2:¥818.1878 6:¥791.8362 10:¥776.0049 26:¥744.3536	参考库存:55519
A2I08H040GNR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 A2I08H040GN/FM15F///REEL 13 Q2 DP	1:¥405.7943 5:¥383.8949 10:¥378.437 25:¥351.0006 500:¥277.8557	参考库存:55524
VRF154FLMP	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥3,821.8634 5:¥3,591.5016	参考库存:55529
AFT18S290-13SR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S	250:¥908.1697	参考库存:55534
CC2538NF11RTQR	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC IC RF ZigBee 802.15.4 SoC hi per	2,000:¥29.8885	参考库存:55539