| 图片 | 型号 | 制造商 | 分类 | 数据手册 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 |
|
|
|
|
无线和射频半导体
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
|
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
|
参考库存:1422
|
|
|
|
|
无线和射频半导体
|
|
RF片上系统 - SoC Smart BLE 4.1 ATBTLC1000
|
1:¥35.7306
10:¥31.8886
25:¥28.6568
50:¥28.3517
|
参考库存:6694
|
|
|
|
|
无线和射频半导体
|
|
射频放大器 VGLNA
|
1:¥121.023
10:¥109.8021
25:¥103.1916
50:¥99.3496
1,500:¥70.6137
|
参考库存:6876
|
|
|
|
|
无线和射频半导体
|
|
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
|
1:¥237.4356
250:¥237.4356
|
参考库存:1848
|
|
|
|
|
无线和射频半导体
|
|
射频放大器 .1-11GHz GaAs Gain 16.6dB NF 1.8dB
|
1:¥32.2728
10:¥30.6569
100:¥28.2726
250:¥25.0521
2,500:¥10.8367
|
参考库存:11545
|