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无线和射频半导体
A3G20S250-01SR3参考图片

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A3G20S250-01SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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数量单价合计
1
¥725.8329
725.8329
5
¥702.3967
3511.9835
10
¥688.3282
6883.282
25
¥644.9927
16124.8175
100
¥622.7882
62278.82
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN Si
Id-连续漏极电流
250 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
18.2 dB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-400S-2
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G20S250
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935377832118
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX2473EUT+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 0.5GHz - 2.5GHz VCO Buffer Amp
1:¥24.747
10:¥23.2102
25:¥18.5207
50:¥17.5941
2,500:¥11.4469
参考库存:7805
CMPA801B025F-TB
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频放大器 Test Board without GaN MMIC
1:¥6,164.1048
参考库存:1042
RFRP2920
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 5-100MHz Gain 38.3dB NF 3.8dB In RL-20dB
1:¥134.0067
25:¥126.6278
100:¥120.1755
参考库存:1179
ATN3580-20
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 Attn=20db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:1516
NB2304AI1DR2G
ON Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Quad Output Zero Delay Buffer
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
参考库存:9258

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    50万现货SKU

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