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无线和射频半导体
MRF6V3090NR1参考图片

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MRF6V3090NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
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数量单价合计
1
¥488.2391
488.2391
5
¥474.0237
2370.1185
10
¥463.8085
4638.085
25
¥444.3612
11109.03
500
¥382.1999
191099.95
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
115 V
增益
22 dB
输出功率
18 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.47 GHz to 0.86 GHz
系列
MRF6V3090N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935321513528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CY23EP05SXC-1H
Cypress Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 2.5V 3.3V 10-220 MHz Zero Delay Buffer
1:¥161.9742
10:¥147.2277
25:¥136.165
50:¥125.1701
参考库存:3794
BAR 65-02V H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥2.147
10:¥1.5142
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:32701
TEF6638HW/V106K
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
调谐器 TEF6638HW/HTQFP100//V106/TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE
1:¥105.5759
10:¥97.1235
25:¥93.0555
100:¥81.9928
参考库存:4508
BGA7H1N6E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥6.4523
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
15,000:¥2.4408
参考库存:81240
HMC374SC70E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp
1:¥44.409
10:¥39.9568
25:¥37.5725
50:¥35.3464
参考库存:3432

  • 海量现货

    50万现货SKU

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