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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NJR
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	USB-6-A8
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	1.575 GHz
P1dB - 压缩点	- 16.5 dBm
增益	19.5 dB
工作电源电压	2.7 V
NF—噪声系数	0.7 dB
测试频率	1575 MHz
工作电源电流	3 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	NJG1117
封装	Tube
频率范围	1.57 GHz to 1.58 GHz
商标	NJR
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	NJG111
单位重量	1.100 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
GC4701-42	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	20:¥321.4963 25:¥297.2917 50:¥287.9918 100:¥278.7032	参考库存:54640
GC4491-79	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管	20:¥334.48 25:¥309.3601 50:¥299.676 100:¥289.9919	参考库存:54645
STAC3932F	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack	80:¥724.1379	参考库存:54650
MO9082-01	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频收发器	10:¥728.2172 25:¥703.9335 50:¥694.2494 100:¥655.4452	参考库存:54655
MF1PH2131DUF/02V	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 MF1PH2131DUF/UNCASED//02/WAFER SAWN FFC NDP NO MAR	35,000:¥4.7573	参考库存:54660