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无线和射频半导体
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BLW32

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库存:26,748(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥553.248
553.248
10
¥461.04
4610.4
25
¥414.936
10373.4
50
¥368.832
18441.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-122A
封装
Tray
工作频率
860 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
10.8 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
参考库存:40947
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
50:¥4,410.9211
参考库存:40952
无线和射频半导体
射频前端 2412-2484MHz 13dB, 5dBm
2,500:¥4.068
5,000:¥3.2996
10,000:¥2.5312
参考库存:40957
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko BLE SoC BGA125 dual 19 dB BLE/proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO
260:¥82.603
参考库存:40962
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:40967
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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