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无线和射频半导体
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GTVA107001EC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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50
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
890 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
960 MHz to 1.215 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 9-10GHz P1dB > 40dBm Gain 32dB PAE > 46%
暂无价格
参考库存:40552
无线和射频半导体
射频放大器 DC-45GHz MMIC Med-Pwr Amp PLFX
暂无价格
参考库存:40557
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
暂无价格
参考库存:40562
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC Med pow amp, 71 - 86 GHz
暂无价格
参考库存:40567
无线和射频半导体
射频放大器 DC-2.5GHz NF 4.8dB Gain 15.1dB
100:¥39.9568
参考库存:40572
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    50万现货SKU

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