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无线和射频半导体
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HMC-SDD112-SX

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库存：4,583(价格仅供参考)
数量单价合计
2
¥1,783.9988
3567.9976
6
¥1,758.7885
10552.731
10
¥1,708.5374
17085.374
26
¥1,620.6347
42136.5022
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
RF 开关 IC
RoHS
是
开关数量
Dual
开关配置
SPDT
工作频率
55 GHz to 86 GHz
介入损耗
2 dB
关闭隔离—典型值
30 dB
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
系列
HMC-SDD112G
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
最小工作温度
- 55 C
产品类型
RF Switch ICs
工厂包装数量
2
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGA2586-FL
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 7.9-8.4GHz PAE 36% P1dB 43 dBm GaN
10:¥9,087.0984
参考库存:5596
TGA2525
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2-18GHz LNA / Gain Block w/AGC
100:¥313.123
300:¥280.692
参考库存:27850
MMRF1312HSR5
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312HS/CFM4F///REEL 13
1:¥4,367.6647
5:¥4,300.5088
10:¥4,236.4943
25:¥4,145.0547
50:¥4,081.3566
参考库存:5563
CMPA0527005F
Wolfspeed / Cree
无线和射频半导体
射频放大器 GaN MMIC Power Amp 50V 0.5-2.7GHz 5W
1:¥346.7744
参考库存:5805
BLW96
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,283.228
5:¥1,279.386
参考库存:5562

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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