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无线和射频半导体
STAC1011-350参考图片

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STAC1011-350

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,281.2279
1281.2279
5
¥1,250.345
6251.725
10
¥1,219.2926
12192.926
25
¥1,202.2409
30056.0225
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 uA
Vds-漏源极击穿电压
80 V
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
STAC265B-3
封装
Tube
工作频率
1.03 GHz to 1.09 GHz
系列
STAC1011-350
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
1.44 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频收发器 2.4GHz RF TRNSCVR W/ EMB MCU & 10BIT ADC
1:¥47.1775
10:¥43.2564
25:¥39.3466
100:¥35.3464
3,000:¥24.2837
参考库存:25283
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:25288
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC JAPAN AND KOREA RF-MICRO
1:¥39.1093
10:¥33.1994
100:¥28.815
250:¥27.3573
3,000:¥19.6733
参考库存:17991
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
1:¥300.4444
5:¥285.2346
10:¥280.3869
25:¥254.1144
500:¥216.7679
参考库存:25295
无线和射频半导体
射频前端 450-470MHz PAE 34% Psat 29.1 dBm
1:¥48.3301
10:¥43.4937
25:¥39.6517
100:¥35.7306
2,000:¥23.4362
参考库存:25300
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    4小时快速发货

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