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无线和射频半导体
TGA2612-SM参考图片

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TGA2612-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频放大器 6-12GHz NF 2 dB P1dB 19 dBm
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库存:4,936(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥868.292
868.292
25
¥722.296
18057.4
100
¥607.036
60703.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
类型
X-Band Low Noise Amplifier
技术
GaN SiC
工作频率
6 GHz to 12 GHz
P1dB - 压缩点
19 dBm
增益
22 dB
工作电源电压
10 V
NF—噪声系数
2 dB
工作电源电流
100 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
TGA
封装
Waffle
产品
GaN
商标
Qorvo
输入返回损失
7 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
6 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
1097072
单位重量
123 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 sub-GHz 20 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC
2,500:¥73.224
参考库存:47276
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 6GHZ PLL SYNTHESIZER
1,000:¥54.8615
参考库存:47281
无线和射频半导体
RF 开关 IC
10:¥2,516.8942
参考库存:47286
无线和射频半导体
射频前端 4.9 - 5.85 GHz 17.5dBm, 28dB
2,500:¥9.831
5,000:¥7.9891
参考库存:47291
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:47296
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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