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无线和射频半导体
CGHV14250F参考图片

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CGHV14250F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
18.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
330 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 130 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440162
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
3.78 mm
长度
20.45 mm
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
10.29 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV14250F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NRF52810-QFAA-R
Nordic Semiconductor
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250:¥40.4201
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衰减器 衰减器
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10:¥751.7212
25:¥721.0643
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1:¥10.9836
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250:¥30.2727
1,000:¥22.8938
参考库存:8485

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