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无线和射频半导体
BFP 405 H6327参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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BFP 405 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.599
25.99
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.04525
3135.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP405
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.5 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
12 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
25 mA
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP405H6327XTSA1 BFP45H6327XT SP000745254
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IDT
无线和射频半导体
射频放大器 F1423 EVB Freq Dig VGA
1:¥86.9083
10:¥78.987
25:¥73.0771
50:¥71.1561
参考库存:3741
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR TRANSISTOR
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
2,500:¥12.5204
参考库存:26293
CEL
无线和射频半导体
RF 开关 IC 2.0GHz to 6.0GHz SPDT pHEMT GaAs FET
1:¥9.379
10:¥7.1868
100:¥5.2206
500:¥4.4409
参考库存:2240
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Dual Power Freq Synthesizer
1:¥43.4146
10:¥39.1093
25:¥36.8041
50:¥34.578
参考库存:2147
无线和射频半导体
射频放大器 LNAs w/Step Attenuator & VGA
1:¥31.2784
10:¥29.5043
25:¥23.5944
50:¥22.4418
2,500:¥15.0629
参考库存:201299
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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