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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	MCM-32
类型	Digital Variable Gain Amplifier
技术	GaAs InGaP
工作频率	50 MHz to 1000 MHz
P1dB - 压缩点	20 dBm
增益	38.8 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	3.2 dB
测试频率	140 MHz
OIP3 - 三阶截点	42 dBm
工作电源电流	182 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	RDA2032Z
封装	Reel
商标	Qorvo
通道数量	2 Channel
输入返回损失	- 30 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	1.054 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	RDA2032Z

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AT-2207(40)	Hirose Connector	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 ATTENUATOR 7DB	1:¥108.4235 10:¥98.5134 25:¥97.971 50:¥88.6711	参考库存:26362
CD4046BPWG4	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL CMOS Micrpwr Ph- Locked Loop	1:¥4.2262 10:¥3.4691 100:¥2.1131 1,000:¥1.6385	参考库存:26367
NRF9160-SIBA-R	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC SIP Module NBIOT	1:¥174.2008 5:¥164.2116 10:¥159.217 25:¥154.2902	参考库存:26372
PD85035-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans	1:¥254.1822 5:¥251.5719 10:¥234.4411 25:¥223.9095	参考库存:6065
A3I35D025WNR1	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V	1:¥372.2107 5:¥352.1532 10:¥347.0908 25:¥321.9596 500:¥254.8828	参考库存:6577