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无线和射频半导体

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CGH27060F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
14 A
输出功率
60 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tray
应用
Telecom
配置
Single
工作频率
2.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
NF—噪声系数
4 dB
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SKY65405-21
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz Gain 15dB 802.11b/g/n NF 1.1dB
1:¥8.1473
10:¥6.5653
100:¥5.0511
500:¥4.4522
3,000:¥3.1301
参考库存:27283
EFR32BG21A010F1024IM32-BR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko, QFN32, 2.4G, 10dB, Bluetooth 5.1, 1024kB, 96kB(RAM), 20 GPIO
1:¥28.8941
10:¥28.3517
25:¥27.8884
50:¥27.3573
参考库存:4135
HMC1018ALP4E
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥886.9596
5:¥870.8232
10:¥845.014
25:¥815.0464
参考库存:2712
BGA713N7E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥8.2264
10:¥6.9947
100:¥5.3675
500:¥4.746
7,500:¥3.2092
参考库存:39144
CC2541F256TRHARQ1
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC RF Bluetooth SMART SOC auto qual BLE
1:¥47.4826
10:¥42.8722
25:¥39.7308
100:¥35.5724
2,500:¥25.9674
参考库存:26486

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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