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无线和射频半导体
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SD56120

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp
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1
¥1,229.9824
1229.9824
5
¥1,200.399
6001.995
10
¥1,170.5783
11705.783
25
¥1,154.2159
28855.3975
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
14 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M246
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
29.08 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD56120
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
217 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RF2052SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频混合器 30-2500MHz 32 Pin PLL/VCO
1:¥78.6028
25:¥60.2403
100:¥47.0984
参考库存:1655
MAX2066ETL+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 Dl 50-1000MHz Hi-Lin Analog/Digital VGA
1:¥127.5544
10:¥120.4806
25:¥96.276
50:¥91.5187
2,500:¥58.0933
参考库存:23839
SST12LP08-QX6E
Microchip Technology
无线和射频半导体
射频放大器 WLAN 11b/g/n PA
1:¥4.3053
10:¥4.1471
25:¥3.4578
100:¥2.9945
参考库存:13152
HMC549MS8GETR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Dual Output lo Noise amp , 0.04-0.96GHz
1:¥43.957
10:¥39.5726
100:¥32.431
250:¥30.736
500:¥27.5833
参考库存:4044
ATN3590-06
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
衰减器 Attn=6dB -55C +150C RL=16dB @ 40GHz
100:¥32.883
300:¥29.6625
500:¥26.5889
1,000:¥22.4418
参考库存:2546

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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