2SC5087R(TE85L,F)原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	2SC5087
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	120
集电极—发射极最大电压 VCEO	12 V
发射极 - 基极电压 VEBO	3 V
集电极连续电流	80 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SMQ-4
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	20 V
直流电流增益 hFE 最大值	240
工作频率	8 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ADL5387ACPZ-WP	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	调节器/解调器 30MHz-2GHz Quadrature	1:¥85.1342 10:¥77.2242 25:¥72.6138 50:¥69.9244	参考库存:1341
PD55008S-E	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	1:¥120.7179 10:¥110.9547 25:¥106.3443 100:¥93.7448 250:¥89.1344	参考库存:2228
QPF4519SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 WiFi FEM 802.11a/n/ac	1:¥37.0414 25:¥34.578 100:¥34.578 200:¥31.7304 500:¥27.6624	参考库存:1515
RF5521SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.4-2.5GHz FEM	1:¥9.9101 100:¥9.9101 200:¥9.1417	参考库存:1722
D1029UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 350W-28V-175MHz PP	1:¥1,916.2314 10:¥1,692.0959 25:¥1,535.2632 50:¥1,439.9816	参考库存:1324