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无线和射频半导体
HMC454ST89E参考图片

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HMC454ST89E

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 ½ Watt hi IP3 amp , 0.4 - 2.5 GHz
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库存:6,535(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥76.614
76.614
10
¥69.2351
692.351
50
¥66.0033
3300.165
100
¥57.3249
5732.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-4
类型
RF Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
2.5 GHz
P1dB - 压缩点
27.5 dBm
增益
12.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
8 dB
OIP3 - 三阶截点
42 dBm
工作电源电流
150 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC454
封装
Cut Tape
频率范围
0.4 GHz to 2.5 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
12 dB
Pd-功率耗散
0.89 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
191 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 ATTENUATOR 7DB
1:¥108.4235
10:¥98.5134
25:¥97.971
50:¥88.6711
参考库存:26362
无线和射频半导体
锁相环 - PLL CMOS Micrpwr Ph- Locked Loop
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1131
1,000:¥1.6385
参考库存:26367
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SIP Module NBIOT
1:¥174.2008
5:¥164.2116
10:¥159.217
25:¥154.2902
参考库存:26372
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:6065
无线和射频半导体
射频放大器 LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V
1:¥372.2107
5:¥352.1532
10:¥347.0908
25:¥321.9596
500:¥254.8828
参考库存:6577
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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