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无线和射频半导体
MRF6V12250HSR5参考图片

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MRF6V12250HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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库存:49,948(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,926.6839
1926.6839
5
¥1,883.7326
9418.663
10
¥1,845.1544
18451.544
25
¥1,817.9553
45448.8825
50
¥1,751.952
87597.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
20.3 dB
输出功率
27.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
0.96 GHz to 1.215 GHz
系列
MRF6V12250H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.4 V
零件号别名
935317106178
单位重量
4.763 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC GaAs MMIC T/R Switch DC - 3 GHz
500:¥40.4992
1,000:¥35.3464
2,500:¥34.0356
参考库存:50535
无线和射频半导体
RFID应答器 SawnWafer(Au-Bumped)
600,000:¥0.29945
参考库存:50540
NJR
无线和射频半导体
射频放大器 PDC Dual Band LNA
4,000:¥8.0682
参考库存:50545
无线和射频半导体
RFID应答器 MF1PH4101DUD/UNCASED//02/WAFER SAWN FFC NDP NO MAR
35,000:¥5.989
参考库存:50550
无线和射频半导体
RFID应答器 NCF3340AHN/HVQFN40//00330/REEL 13 Q1 DP
4,000:¥67.6192
参考库存:50555
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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