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无线和射频半导体
MMRF1317HR5参考图片

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MMRF1317HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317H/CFM4F///REEL 13
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数量单价合计
50
¥4,321.7076
216085.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.2 dB
输出功率
1.3 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.02 GHz to 1.1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
869 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935318748178
单位重量
13.193 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-1GHz SE
1:¥1,011.2935
10:¥889.2648
25:¥790.4576
50:¥709.075
参考库存:59214
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz
1:¥126.6278
10:¥116.4917
25:¥111.644
100:¥98.3552
600:¥87.5185
参考库存:59219
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3-PLL Clk Syn IND
2,500:¥77.066
参考库存:59224
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥17,641.1532
参考库存:59229
无线和射频半导体
射频放大器 High Performance Low Power FM IF System
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
1,500:¥19.436
参考库存:59234
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    50万现货SKU

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