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无线和射频半导体
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GA01PNS80-220

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数量单价合计
1
¥2,598.1186
2598.1186
5
¥2,563.5406
12817.703
10
¥2,473.0163
24730.163
20
¥2,418.2339
48364.678
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GeneSiC Semiconductor
产品种类
PIN 二极管
RoHS
是
Vr - 反向电压
8 kV
最大二极管电容
26 pF
最大串联电阻（中频最大时）
-
If - 正向电流
2 A
Vf - 正向电压
6.1 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
11.18 mm x 9.14 mm x 6.35 mm
系列
GA01PNS
封装
Tube
配置
Single
高度
6.35 mm
长度
11.18 mm
端接类型
Through Hole
类型
Silicon PIN Diode
宽度
9.14 mm
商标
GeneSiC Semiconductor
Ir - 反向电流
4 uA
产品类型
PIN Diodes
工厂包装数量
10
子类别
Diodes & Rectifiers
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC751LC4TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 17 - 27 GHz
100:¥324.9541
200:¥315.5864
参考库存:53247
AD6674BCPZ-1000
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
1:¥5,707.291
5:¥5,628.304
参考库存:53252
NJM2292V-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频无线杂项 Narrow Band FM IF IC
1:¥9.2208
10:¥8.2264
25:¥6.9156
50:¥6.2037
2,000:¥5.537
参考库存:53257
SD3932
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,246.729
5:¥1,216.7614
10:¥1,186.4887
25:¥1,169.889
参考库存:53262
AFT26H160-4S4R3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S
250:¥704.3177
参考库存:53267

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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