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无线和射频半导体
A3T21H450W23SR6参考图片

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A3T21H450W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：50,334(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,035.3399
1035.3399
5
¥1,014.9773
5074.8865
10
¥967.6416
9676.416
25
¥947.3581
23683.9525
100
¥899.9546
89995.46
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.4 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935352756128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX2678GTB/V+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频前端 GPS/GNSS Front-End Amplifier
1:¥25.8205
10:¥23.4362
25:¥18.7467
50:¥17.8314
参考库存:6318
MAX2306ETI+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
调节器/解调器 CDMA If VGAs & I/Q Demodulator w/VCO
1:¥81.4504
10:¥76.9191
25:¥61.472
50:¥58.4775
2,500:¥37.5725
参考库存:15875
ACA1240
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 12V Line Extender Variable Gain Laminate
1:¥234.588
10:¥215.6153
25:¥203.2418
50:¥197.0946
1,500:¥149.612
参考库存:25679
MAX2140ETH+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频接收器 Complete SDARS Receiver
1:¥138.9222
10:¥131.1704
25:¥104.8866
50:¥99.666
2,500:¥63.0088
参考库存:25684
A75-3
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 10-500MHz NF 1.7dB Gain 20.5dB
1:¥899.5704
参考库存:3392

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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