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无线和射频半导体
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D1017UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE
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数量单价合计
1
¥905.8645
905.8645
10
¥796.5257
7965.257
25
¥708.0015
17700.0375
50
¥635.1617
31758.085
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DM
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NB2304AI1DG
ON Semiconductor
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Quad Output Zero Delay Buffer
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0625
500:¥6.2376
参考库存:9412
TGS4304
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC 32-40 GHz SPDT VPIN Switch Absorptive
50:¥431.0724
100:¥380.9004
250:¥365.6002
参考库存:5744
HMC8118
Analog Devices
无线和射频半导体
上下转换器 71-76GHz TX IC
25:¥633.2407
100:¥597.2728
参考库存:5621
SLRC61003HNY
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频前端 SLRC61003HN/HVQFN32///REEL 13 Q1 DP
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
6,000:¥18.7467
参考库存:27800
RN771VFHTE-17
ROHM Semiconductor
无线和射频半导体
PIN 二极管 Pin Diode 50V Vr 100MHz 50mA IF
1:¥2.9154
10:¥2.0566
100:¥0.94468
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:15253

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    品类不断扩充

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