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无线和射频半导体
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D1017UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE
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数量单价合计
1
¥905.8645
905.8645
10
¥796.5257
7965.257
25
¥708.0015
17700.0375
50
¥635.1617
31758.085
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DM
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC BLE 5 Ready OTA QFN 48pin 6x6mm
暂无价格
参考库存:30198
无线和射频半导体
衰减器 .05-18GHz Attn 30dB IN 1dB 29dBm
1:¥134.7751
25:¥103.2707
100:¥80.682
250:¥66.8508
2,500:¥46.104
参考库存:19512
无线和射频半导体
射频发射器 DAC w/ modulator and logic
1:¥305.213
5:¥298.4443
10:¥284.8504
25:¥272.9402
250:¥238.8142
参考库存:4394
无线和射频半导体
射频放大器 1.8-5.0 GHz 2-stage wideband gain block
1:¥47.7199
25:¥36.5781
100:¥28.589
250:¥23.6622
2,500:¥18.6676
参考库存:13506
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth SoC QFN32 2.4 G 0 dB BLE multi-protocol 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO
1:¥31.8886
10:¥31.2784
25:¥30.736
50:¥29.5043
参考库存:5728
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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